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中文ê （E T）
概述
该Am29F200B是2兆， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
的8位数据上出现的DQ0 - DQ7 ;在16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F200B提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。该装置也可用
能够在已知合格芯片（ KGD ）的形式。欲了解更多
信息，请参阅出版物号21257.这
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
该Am29F200A ，将其制造的efits
采用0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的45 ，50， 55的访问时间，
70 ， 90 ，和120 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和
DQ6 / DQ2 （切换）
状态位。
某个程序后或
擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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Am29F200B
21526D4 2006年11月1日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
