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AM29F400BB-90EC 参数 Datasheet PDF下载

AM29F400BB-90EC图片预览
型号: AM29F400BB-90EC
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 5.0伏只引导扇区闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 874 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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D A T A
表5 。
命令
顺序
阅读(注6 )
复位(注7 )
制造商ID
字节
字节
字节
部门保护验证
字节
节目
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起(注10 )
删除恢复(注11 )
图例:
X =无关
要读取的RA =地址的存储单元。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PA =地址的存储单元进行编程。
地址锁存器上的WE#或CE #脉冲的下降沿,
以较迟者为准发生。
字节
字节
字节
4
6
6
1
1
4
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
XXX
XXX
AA
AA
AA
B0
30
周期
第一次
ADDR
RA
XXX
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
555
数据
RD
F0
AA
AA
AA
2AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
中文ê (E T)
Am29F400B命令定义
总线周期(注2-5)
第二
ADDR
数据
第三
ADDR
第四
数据地址
数据
科幻FTH
地址数据
第六
ADDR
数据
1
1
4
4
4
55
55
55
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
90
90
90
X00
X01
X02
01
2223
23
22AB
AB
XX00
XX01
00
01
PD
AA
AA
2AA
555
2AA
555
55
55
555
AAA
SA
10
30
自选(注8 )
设备ID,
热门引导块
设备ID,
底部引导块,
X01
X02
(SA)的
X02
90
(SA)的
X04
A0
80
80
PA
555
AAA
555
AAA
55
AAA
55
55
55
555
AAA
555
AAA
555
AAA
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁存器的
上升WE#或CE #脉冲的边缘,先发生者为准。
SA =地址的扇区进行验证(在自动选择模式)或
删除。地址位A17 - A12唯一选择任何行业。
注意事项:
1.请参阅表1的总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.除读书数组或自动选择数据时,所有的总线周期
有写操作。
4.数据位DQ15 - DQ8是不关心和解锁
指令周期。
5.地址位A17 -A11是不关心和解锁
指令周期,除非PA或SA必需的。
6.读阵列时,无需解锁或命令周期
数据。
7.复位命令必须返回读取阵列
数据时,设备处于自动选择模式,或者如果DQ5变
高(当设备提供状态数据)。
8.自选命令序列的第四个周期是
读周期。
9.数据为00h的未受保护的部门和01H的
受保护的部门。请参阅“自选命令序列”
更多的信息。
10.系统可以读取和程序在非擦除扇区,或
进入自选模式,在擦除时挂起
模式。擦除挂起命令仅在有效
扇区擦除操作。
11.删除恢复命令仅在擦除是有效的
挂起模式。
2006年11月1日21505E5
Am29F400B
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