AMI半导体公司
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N08M1618L1A
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RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
复字
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
X
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
2
写
3
读
活跃
动力
待机
待机
待机
主动->待机
4
主动->待机
4
待机
4
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
4.设备会消耗有功功率在这种模式下，每当地址被改变了。数据输入是来自内部隔离
任何expernal影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23211-03 06年9月21日
超前信息
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。
2
AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
