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N64S0830HDA 参数 Datasheet PDF下载

N64S0830HDA图片预览
型号: N64S0830HDA
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内容描述: 64Kb的低功耗串行SRAM的8K × 8位组织 [64Kb Low Power Serial SRAMs 8K 】 8 bit Organization]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 201 K
品牌: AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
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AMI半导体公司
绝对最大额定值
1
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N64S0818HDA/N64S0830HDA
超前信息
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3〜 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C, 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件,操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性(在规定温度范围)
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作
当前
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 1毫安
CS = V
CC
, V
IN
= 0至V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= 0至V
CC
F = 1MHz时,我
OUT
= 0
F = 10MHz时,我
OUT
= 0
F = 20 / 25MHz的,我
OUT
= 0
1.8V器件
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
3V器件
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
200
1
测试条件
1.8V器件
3V器件
分钟。
1.7
2.3
0.7× V
CC
–0.3
V
CC
–0.5
0.2
0.5
0.5
500
4
8/10
500
3
典型值
1
最大
1.95
3.6
V
CC
+0.3
0.3× V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
mA
mA
nA
µA
待机电流
I
SB
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值,T测量。
A
= 25°C ,不100 %测试。
电容
1
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
最大
7
7
单位
pF
pF
1,这些参数在设备特性验证,并非100%测试
3
这是一个发展的规范,并随时更改,恕不另行通知。