AS1361/AS1362
数据表 - D etailed ð ESCRIPTION
8详细说明
该AS1361 / AS1362是超低噪声，低压差，低静态电流的线性稳压器特别设计
空间受限的应用场合。这些器件可提供预设的输出电压为1.5〜 4.5V的50mV的增量。
这些器件可提供负载高达150 / 300毫安。如图
该AS1361 / AS1362包含一个英特的
磨碎的带隙铁心及噪声旁路电路，误差放大器， P沟道MOSFET的导通晶体管，以及内部馈
回分压器。
输出电压被反馈通过一个内部电阻分压器连接到插脚OUT 。一个外部旁路
电容连接到旁路引脚的输出降低了噪音。附加块包括一个限流器，热敏
传感器，和关断逻辑。
内部参考电压
在1.25V的带隙基准连接到误差放大器的反相输入端。误差放大器作比较这
与反馈参考电压和放大的差异。如果反馈电压低于参考
电压时，通过晶体管的栅极被拉低。这允许更多的电流传递到输出和增加输出
电压。如果反馈电压过高时，传输晶体管栅极被拉高，从而允许更小的电流传递到
输出。
内部P沟道MOSFET
该AS1361 / AS1362配备了0.5Ω （典型值） P沟道MOSFET晶体管，它提供了几个优势
在使用PNP传输晶体管，包括延长电池寿命的类似设计。所述P沟道MOSFET不
需要一个基极驱动器，从而静态电流显着减少。的AS1361 / AS1362的LDO不表现概率
题具有典型的PNP型LDO的关联，并且仅消耗40μA的静态电流在轻载和220μA
降
输出电压
该AS1361 / AS1362提供预设的输出电压为1.5〜 4.5V ，在50mV的增量
关闭
该AS1361 / AS1362配备了低功耗关断模式，将静态电流降至<200nA 。驾驶SHDNN
低禁止内部基准电压源，误差放大器，栅极驱动电路和P沟道MOSFET导通晶体管
并且该装置的输出变为高阻抗状态。
注意：
正常工作时连接销SHDNN到引脚。
图18.框图
AS1361/AS1362
IN
SHDNN
关闭和
掉电
控制
-
+
错误
AMP
MOS
司机瓦特/
I
极限
热
传感器
1.25参考
和噪声旁路
OUT
绕行
–
95%
GND
+
POK
www.austriamicrosystems.com
修订1.00
8 - 13
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
