AMS73CAG01808RA
命令真值表
（ a）注意1,2,3,4适用于整个命令真值表
（二）注意事项5适用于所有的读/写命令。
[ BA =银行地址， RA =行地址， CA =列地址，BC =胸围
印章，X =无关，V =有效]
CKE
功能
模式寄存器设置
刷新
自刷新进入
自刷新退出
单个组预充电
预充电所有银行
银行激活
写（固定BL8或BL4 ）
写（ BL4 ，上飞）
写（ BL8 ，上飞）
写带自动预充电
（固定BL8或BL4 ）
写带自动预充电
（ BL4 ，上飞）
写带自动预充电
（ BL8 ，上飞）
阅读（固定BL8或BL4 ）
阅读（ BL4 ，上飞）
阅读（ BL8 ，上飞）
阅读与自动预充电
（固定BL8或BL4 ）
阅读与自动预充电
（ BL4 ，上飞）
阅读与自动预充电
（ BL8 ，上飞）
无操作
释放器件
ZQ校准龙
ZQ校准SHORT
断电进入
掉电退出
缩写
太太
REF
SRE
SRX
PRE
PREA
法案
WR
WRS4
WRS8
WRA
WRAS4
WRAS8
RD
RDS4
RDS8
RDA
RDAS4
RDAS8
NOP
DES
ZQCL
ZQCS
PDE
PDX
前
周期
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
当前
周期
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
CS
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
L
H
RAS CAS
L
L
L
V
H
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
H
H
V
H
X
L
L
L
V
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
X
H
X
WE
L
H
H
V
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
X
L
L
H
X
H
X
BA0
-
BA2
BA
V
V
X
V
BA
V
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
BA
V
X
X
X
V
X
V
X
A13
-
A15
V
V
X
V
V
V
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
V
X
X
X
V
X
V
X
A12
/
BC
V
V
X
V
V
V
V
L
H
V
L
H
V
L
H
V
L
H
V
X
X
X
V
X
V
X
A10
/
AP
V
V
X
V
L
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
H
H
V
X
H
L
V
X
V
X
A0
-
A9,A11
V
V
X
V
V
V
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
CA
V
X
X
X
V
X
V
X
笔记
操作码
7,9,12
7,8,9,12
行地址（RA）
10
11
6,12
6,12
注意：
1.所有DDR3 SDRAM命令是CS ， RAS ， CAS，WE和CKE的状态在时钟的上升沿定义。 BA ， RA的最高位，而CA是
器件密度和配置的依赖
2.复位低enable命令将仅用于异步复位所以一定要保持高位的任何功能中使用。
3.银行地址（ BA）确定哪些银行在被操作。对于（ E） MRS BA选择一个（扩展）模式寄存器
4. “V ”是指“ H或L （但限定的逻辑电平） ”和“X ”指“中定义的或未定义的（如浮动的）逻辑电平”
5，突发读取或写入不能终止或中断，固定/上飞BL将由刘健来定义
6.掉电模式不进行任何刷新操作。
7. ODT的状态不会影响在该表中所描述的状态。该ODT功能不可用期间自刷新。
8.自刷新退出是异步的。
9. V
REF
（两个V
REFDQ
和V
REFCA
）必须自刷新操作期间得到保持。
10.无操作命令应使用的情况下，当DDR3 SDRAM处于空闲或处于观望状态。在无操作的目的
命令（NOP）是为了防止DDR3 SDRAM从登记操作之间的任何不希望的命令。空操作命令不会
终止仍在执行，比如一个猝发读或写周期之前的操作。
11.取消命令执行相同的功能作为一个无操作指令。
12.参考CKE真值表与CKE过渡更详细
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
11
AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
