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AMS73CAG02808RALJI8E 参数 Datasheet PDF下载

AMS73CAG02808RALJI8E图片预览

型号：	AMS73CAG02808RALJI8E
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内容描述：	高性能的1Gbit DDR3 SDRAM [HIGH PERFORMANCE 1Gbit DDR3 SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	31 页 / 683 K
品牌：	AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]

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AMS73CAG01808RA

VREF容差

直流容忍限度和交流噪声限值为参考电压VREFCA和VREFDQ都说明了

图VREF （ DC）的宽容和VREF交流噪声限值。它显示了一个有效的参考电压VREF （ T）为

功能的时间。（ VREF代表VREFCA和VREFDQ同样）。

VREF （直流）的VREF （吨）在很长的一段时间（如1秒）的线性平均。这个平均有

满足最小/最大需求表单端交流和直流输入电平指挥的“

地址“ 。此外VREF （t）的可能暂时从VREF （直流）不超过+/- 1％的VDD偏离。

电压

V

DD

V

SS

时间

VREF （ DC ）公差和VREF AC-噪声限值

的电压电平的建立和保持时间的测量的VIH （AC）， VIH （DC）的VIL （AC）和VIL（ DC）是

依赖于VREF 。

"VREF"应理解为VREF （ DC ），如上图中， VREF （ DC）的宽容和VREF AC-定义

噪声限值。

此澄清，由于VREF的直流偏差影响的绝对电压的信号必须达到实现有效

高或低的水平，因此，时间，用于设置和保持被测量到。系统时序和电压

预算需要考虑到VREF （DC）的偏离的数据眼的内的最佳位置

输入信号。

这也澄清， DRAM的建立/保持规范和降额值，需要包括时间和电压

年龄VREF交流噪声有关。时序和电压的影响由于VREF的交流噪声到试样

田间极限（V DD为+/- 1％）被包括在DRAM的定时和它们相关联的降额。

AMS73CAG01808RA

1.0版2010年12月

15

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