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AS29LV800T-120TC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120TC图片预览
型号: AS29LV800T-120TC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
描述
擦除挂起允许扇区擦除操作中断读取数据或程序数据到
行业不被删除。擦除挂起只适用于在扇区擦除操作,包括
超时时间。编写一个擦除过程中扇区擦除超时导致暂停命令
立即终止擦除操作的超时时间和暂停。
AS29LV800忽略擦除过程中的任何命令暂停不是读/复位,编程或擦除等
恢复命令。写擦除继续命令继续擦除操作。地址是
写擦除暂停或删除恢复命令时,不要在意。
AS29LV800花费0.2〜15 μs的接收擦除挂起命令后暂停擦除操作。
要确定擦除完成后暂停,要么选择一个部门的地址后,检查DQ6
不能被擦除或者轮询RY / BY 。检查DQ2与DQ6配合,以确定是否一个扇区是
被删除。 AS29LV800忽略擦除多余的写入暂停。
而在擦除暂停模式, AS29LV800允许读数据(擦除挂起读取模式)或从
编程数据(擦除暂停程序模式),不进行扇区擦除任何部门;
这些操作被当作标准的读或标准编程模式。 AS29LV800默认
而擦除操作已经暂停擦除挂起读取模式。
写简历的命令30H继续扇区擦除操作。 AS29LV800忽略
Resume命令的冗余写入。 AS29LV800允许多个挂起/恢复
在扇区擦除操作。
当试图写入受保护的部门,数据轮询和切换位1 ( DQ6 )被激活
约<1微秒。当试图删除受保护的部门,数据查询和
切换第1位( DQ6 )被激活约<5微秒。在这两种情况下,该设备返回到读模式
不改变指定的部门。
RY / BY表示自动上芯片算法是否正在进行( RY / BY =低)或
完成( RY / BY =高) 。不接受对器件编程/擦除命令时,
RY / BY =低。 RY / BY =高时,器件处于擦除挂起模式。 RY / BY =高时,装置
超过时间限制时,表示编程或擦除操作已失败。 RY / BY是一个开漏
输出,使多个RY / BY引脚被捆绑并联一个上拉电阻到V
CC
.
擦除挂起
部门保护
就绪/忙
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
25第9页