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AS29LV800T-120TC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120TC图片预览
型号: AS29LV800T-120TC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
命令格式
命令序列
重置/读取
×16
重置/读取
×8
×16
×8
自选
ID读
×16
3
×8
×16
×8
×16
节目
×8
×16
解锁绕道
×8
解锁绕道程序
解锁绕道复位
×16
芯片擦除
×8
×16
扇区擦除
×8
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
1
1
6
AAAH
XXXh
XXXh
B0h
30h
6
AAAH
555h
AAH
555h
2
2
3
AAA
XXX
XXX
555h
AAH
555h
2AAh
55h
AAAH
A0h
90h
4
AAAH
555
AAH
555
节目
地址
XXX
2AAh
55h
AAAH
555h
80h
AAAH
节目
数据
00h
555h
80h
AAAH
555h
AAH
555h
555h
AAH
555h
2AAh
55h
2AAh
55h
AAAH
扇形
地址
30h
555h
10h
AAAH
555h
AAH
AAAH
555h
AAH
555h
2AA
55h
AAA
555h
2AAh
55h
AAAH
555
20h
3
AAAH
555h
AAH
AAAH
555h
AAH
555h
2AAh
55h
AAAH
555h
A0h
项目地址
程序数据
555h
2AAh
55h
AAAH
555h
90h
XXX04h
扇区保护
0001h=protected
0000h=unprotected
所需的总线
写周期
1
第一个总线周期
地址
XXXh
555h
AAH
数据
F0h
第二个总线周期
地址
地址
2AAh
55h
555h
2AAh
55h
数据
读数据
第三总线周期
地址
数据
第四总线周期
地址
数据
第五总线周期
地址
数据
第六总线周期
地址
数据
555h
F0h
AAAH
555h
90h
AAAH
555h
90h
02h
器件代码
00h
MFR码
XXX02h
扇区保护
01h
器件代码
阅读地址
数据
22DAh ( T)
225Bh ( B)
DAH ( T) 5BH
(B)
0052h
52h
0001H =保护
0000H =无保护
1
2
3
4
5
6
在"Mode定义, "第3页上定义的总线操作。
从阅读和编程,以允许擦除挂起模式非擦除扇区。
地址位A11 - A18 = X =不关心,除非程序地址和扇区地址所需的所有地址的命令。
数据位DQ15 - DQ8是不关心的解锁和指挥周期。
解锁绕道命令必须解锁绕道程序命令之前启动。
解锁绕道复位命令返回的设备读取阵列数据时,它是在解锁旁路模式。
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
25第6页