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AM30N10-70DE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM30N10-70DE
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内容描述: N沟道100 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 146 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
AM30N10-70DE
规格(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
o
符号
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
范围
单位
最小典型最大
1.0
±100
o
V
nA
uA
A
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 C
1
25
34
78
92
20
0.8
21
3.8
14.2
7.5
13.6
41
35
漏源导通电阻
转发Tranconductance
A
二极管的正向电压
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 9.2 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 6.1 A
V
DS
= 40 V,I
D
= 5.5 A
I
S
9 = A,V
GS
= 0 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 50 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 9 A
nC
V
DD
= 50 V ,R
L
= 5.2
, I
D
= 9 A,
V
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
模拟电源
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2
初步
出版订单号:
DS-AM30N10-70DE_B