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APM3054ND 参数 Datasheet PDF下载

APM3054ND图片预览
型号: APM3054ND
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 215 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3054N
Typical Characteristics
Output Characteristics
20
V
GS
=6,7,8,9,10V
Transfer Characteristics
25
T
J
=-55°C
I
D
-Drain Current (A)
15
V
GS
=5V
I
D-
Drain Current (A)
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
15
10
10
V
GS
=4V
5
V
GS
=3V
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Temperature
1.2
0.12
I
DS
=250uA
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS(th)-
Threshold Voltage (V)
(Normalzed)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
R
DS
(on)-On-Resistance (Ω)
0.10
V
GS
=4.5V
0.08
0.06
V
GS
=10V
0.04
0.02
0.00
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
Tj - Junction Temperature (°C)
I
D
- Drain Current (A)
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - Aug., 2002
3
www.anpec.com.tw