APM2023N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2023N
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 126 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2023N

典型特征

输出特性

传输特性

- 漏电流（A ）

=2V

D-

漏电流（ A）

=3,4,5,6,7,8,9,10V

=125°C

=25°C

0.0

=-55°C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

- 漏极至源极电压（ V）

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

=250uA

导通电阻与漏电流

0.050

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.045

0.040

0.035

0.030

0.025

0.020

0.015

=4.5V

=2.5V

-25

100 125 150

0.010

TJ - 结温（ ° C）

- 漏电流（ A）

版权



茂达电子股份有限公司

牧师A.1 - 12月2002年

www.anpec.com.tw

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