APM2055NUC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2055NUC-TRL
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 186 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2055NU

典型特征

功耗

漏电流

- 漏电流（ A）

合计

- 功率（W ）

=25 C

20 40 60 80 100 120 140 160 180

= 25℃ ，V

=10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

100

瞬态热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

- 漏电流（ A）

S（O

LIM

1ms

10ms

100ms

0.1

0.02

0.01

单脉冲

=25 C

0.1

0.01

1E-4 1E-3

安装在1英寸垫

： 50℃ / W

0.01

0.1

100

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

版权

茂达电子股份有限公司

牧师B.3 - 2005年10月

www.anpec.com.tw

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