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APM2055NUC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM2055NUC-TRL图片预览
型号: APM2055NUC-TRL
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 186 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2055NU
典型特征(续)
输出特性
30
V
GS
=5,6,7,8,9,10V
漏源导通电阻
200
180
V
GS
=2.5V
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
25
4V
160
140
120
100
80
60
40
20
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流( A)
20
15
3V
10
5
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
30
栅极阈值电压
1.8
I
DS
=250
µ
A
1.6
25
归一化的阈值Vlotage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
D
- 漏电流( A)
20
15
10
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
5
T
j
=25 C
o
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
©
茂达电子股份有限公司
牧师B.3 - 2005年10月
5
www.anpec.com.tw