APM2512NU
N沟道增强型MOSFET
特点
•
25V/40A,
R
DS ( ON)
= 9mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 13mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
引脚说明
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•
•
•
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
D
顶视图TO- 252
应用
•
G
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2512N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2512N U:
APM2512N
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料和100 %雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw