APM3009NGC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM3009NGC-TR
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 718 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM3009N

典型特征连拍。

导通电阻与栅极至源极电压

0.030

上Resistaence与结温

1.6

=35A

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

DS （ ON）

-on电阻（Ω）

（归一化）

0.025

=10V

=35A

1.4

0.020

1.2

0.015

1.0

0.010

0.005

0.8

0.000

0.6

-50

-25

100

125

150

栅极电压（ V）

-Junction温度（℃ ）

上Resistaence与结温

栅极电荷

=15V

=20A

DS （ ON）

-on电阻（Ω）

-Gate至源极电压（ V）

100

125

150

=10V

=35A

-50

-25

-Junction温度（℃ ）

- 总 - 栅极电荷（ NC）

版权



茂达电子股份有限公司

A.3牧师 - 2002年5月

www.anpec.com.tw

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