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APM4412KC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM4412KC-TRL图片预览
型号: APM4412KC-TRL
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 188 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4412K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θ
JA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
V
GS
=10V
12
45
2
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2
0.8
62.5
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻,结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM4412K
分钟。
30
1
30
1.3
1.7
9
12
0.75
24.5
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=12A
4
8
2.5
±100
12
16
1.3
32
nC
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SDA
a
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=12A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=8A
I
SD
= 2.3A ,V
GS
=0V
V
µA
V
nA
mΩ
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
栅极电荷特性
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
版权
©
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
2
www.anpec.com.tw