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APM4420K 参数 Datasheet PDF下载

APM4420K图片预览
型号: APM4420K
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 118 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4420K
电气特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
b
测试条件
APM4420K
分钟。
典型值。
2.2
3130
620
275
9
16
14
94
45
7
67
30
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
V
DD
= 15V ,R
L
=15Ω,
I
DS
= 1A ,V
=10V,
R
G
=6Ω
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
µ
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
3
www.anpec.com.tw