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    APM4542KC-TUL 参数 Datasheet PDF下载

    APM4542KC-TUL图片预览
    型号： APM4542KC-TUL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双通道增强型MOSFET （N和P通道） [Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 154 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM4542KC-TUL的Datasheet PDF文件第9页  
    APM4542K
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    *
    I
    DM
    *
    I
    S
    *
    T
    J
    T
    英镑
    P
    D
    *
    R
    θJA
    *
    注意：
    *表面安装在1英寸
    垫区域，叔
    ≤
    10sec.
    2
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    二极管连续正向电流
    最高结温
    存储温度范围
    功耗
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =100°C
    V
    GS
    =±10V
    N沟道
    30
    ±20
    7
    28
    2
    P沟道
    -30
    ±20
    -5.5
    -22
    -2
    单位
    V
    A
    A
    °C
    W
    ° C / W
    150
    -55到150
    2
    0.8
    62.5
    热阻，结到环境
    电气特性
    符号
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    测试条件
    APM4542K
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    静态特性
    BV
    DSS
    漏源击穿
    电压
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250µA
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =-250µA
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    =0V
    I
    DSS
    零栅压漏
    当前
    T
    J
    =85°C
    V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85°C
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    I
    GSS
    栅极漏电流
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =-250µA
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    DS
    =7A
    R
    DS （ ON）
    a
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    30
    -30
    1
    30
    -1
    -30
    1
    1.5
    -1.5
    2
    -2
    ±100
    ±100
    17
    35
    22
    51
    24
    56
    30
    78
    V
    µA
    1
    V
    nA
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    V
    GS
    = -10V ，我
    DS
    =-5.5A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    DS
    =5A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    DS
    =-4A
    mΩ
    版权
    茂达电子股份有限公司
    牧师B.1 - 三月， 2005年
    2
    www.anpec.com.tw

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