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APM4542KC-TUL 参数 Datasheet PDF下载

APM4542KC-TUL图片预览
型号: APM4542KC-TUL
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内容描述: 双通道增强型MOSFET (N和P通道) [Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 154 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4542K
电气特性(续)
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM4542K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
二极管的特性
V
SD
a
二极管的正向电压
b
I
SD
= 2A ,V
GS
=0V
I
SD
= -2.3A ,V
GS
=0V
N沟道
P沟道
0.7
-1.7
1.3
-1.3
V
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
栅极电阻
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
N沟道
V
DD
= 15V ,R
L
=15Ω,
I
DS
= 1A ,V
=10V,
R
G
=6Ω
P沟道
V
DD
= -15V ,R
L
=15Ω,
I
DS
= -1A ,V
=-10V,
R
G
=6Ω
b
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2
11
835
950
145
160
15
110
11
12
17
15
36
35
20
15
20
24
28
29
62
60
36
30
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
pF
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
笔记
:
:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=7A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-5.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
19
33
1.6
5
3.6
4
25
43
nC
一:脉冲测试;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
3
www.anpec.com.tw