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APM4550K 参数 Datasheet PDF下载

APM4550K图片预览
型号: APM4550K
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内容描述: 双重增强模式MOSFET( N和P通道) [Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 241 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4550K
典型特征
N沟道
功耗
2.5
漏电流
8
7
2.0
6
I
D
- 漏电流( A)
o
P
合计
- 功率(W )
1.5
5
4
3
2
1
1.0
0.5
T
A
=25 C
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
T
A
= 25℃ ,V
G
=10V
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
- 漏电流( A)
10
Rd
S(O
n)
LIM
it
300
µ
s
1ms
10ms
100ms
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.01
单脉冲
0.1
1s
DC
0.01
0.01
T
A
=25 C
O
0.1
1
10
100
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 62.5 C / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
©
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2007年5月
4
www.anpec.com.tw