APM7313K
双N沟道增强型MOSFET
特点
•
30V/6A,
R
DS （ ON）
= 21mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 27mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
(8)
D1
SOP的顶视图
−
8
(7)
D1
(6)
D2
(5)
D2
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM7313
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 〜150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM7313 K：
APM7313
XXXXX
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牧师B.3 - 11月2005年
1
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