APM7313
双N沟道增强型MOSFET
特点
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•
•
•
30V / 6A ,R
DS ( ON)
= 21mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 27mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
SO-8
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
顶视图
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G1
D1
D1
D2
D2
G2
S1
S2
N沟道MOSFET N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 7313
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P ackage Ç颂歌
P ackage Ç颂歌
K: S 0 -8
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
APM 7313 K:
APM 7313
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
V
单位
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月, 2003
1
www.anpec.com.tw