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    APM7313 参数 Datasheet PDF下载

    APM7313图片预览
    型号： APM7313
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 114 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM7313的Datasheet PDF文件第9页  
    APM7313
    绝对最大额定值（续）
    符号
    I
    D*
    I
    DM
    P
    D
    参数
    最大漏极电流 - 连续
    最大漏极电流 - 脉冲
    最大功率耗散
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =100°C
    T
    J
    T
    英镑
    R
    θJA
    最高结温
    存储温度范围
    热阻 - 结到环境
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    等级
    6
    24
    2.5
    1.0
    150
    -55到150
    50
    A
    W
    W
    °C
    °C
    ° C / W
    单位
    *表面装在FR4板，T
    ≤
    10秒。
    电气特性
    符号
    STATIC
    BV
    DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    a
    V
    SD
    a
    漏源击穿
    电压
    零栅压漏
    当前
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    二极管的正向电压
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    测试条件
    APM7313
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250µA
    V
    DS
    =24V , V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    GS
    =±20V , V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    DS
    =3.5A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    DS
    =2A
    I
    SD
    = 2A ，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = 15V ，我
    DS
    = 10A
    V
    GS
    =10V
    30
    1
    1
    1.5
    21
    27
    0.7
    30
    5.8
    3.8
    11
    22
    33
    68
    38
    2
    ±100
    28
    42
    1.3
    36
    V
    µA
    V
    nA
    mΩ
    V
    动态
    b
    Q
    g
    总栅极电荷
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    T
    r
    t
    D（关闭）
    T
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    nC
    V
    DD
    = 15V ，我
    DS
    =2A ,
    V
    根
    = 10V ，R
    G
    =6Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    17
    37
    20
    1200
    210
    95
    ns
    pF
    反向传输电容频率= 1.0MHz的
    笔记
    a
    b
    ：脉冲测试;脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比
    ≤
    2%
    ：由设计保证，不受生产测试
    2
    www.anpec.com.tw
    版权
    茂达电子股份有限公司
    A.5版本 - 二月， 2003

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