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APM9926KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM9926KC-TR图片预览
型号: APM9926KC-TR
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 143 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9926/C
电气特性续。
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时,我
DS
=250
µ
A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
µ
A
V
GS
=
±
8V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=5.2A
I
SD
= 1.7A ,V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
DS
= 6A
V
GS
=4.5V ,
0.6
10
3.6
2
17
V
DD
= 10V ,我
DS
=1A ,
V
= 4.5V ,R
G
=0.2
V
GS
=0V
15
45
25
520
110
70
ns
0.5
0.7
28
38
20
1
1.5
±
100
32
45
1.3
V
µ
A
V
nA
m
V
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM9926/C
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
nC
输出电容
V
DS
=15V
反向传输电容频率= 1.0MHz的
pF
笔记
a
b
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300µs,
占空比
2%
:由设计保证,不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.6 - 九月, 2002年
3
www.anpec.com.tw