APM9926KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM9926KC-TR
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 143 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM9926/C

典型特征

源极 - 漏极二极管正向电压

单脉冲功率

- 源电流（A ）

功率（W）的

=150°C

=25°C

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

0.01

0.1

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

0.1

D=0.05

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=80°C/W

3.T

-T

thJA

单脉冲

D=0.02

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

方波脉冲持续时间（秒）

版权



茂达电子股份有限公司

牧师A.6 - 九月， 2002年

www.anpec.com.tw

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