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AO3406 参数 Datasheet PDF下载

AO3406图片预览
型号: AO3406
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 109 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3406
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.8A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=3.6A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
15
50
74
75
7
0.79
1
2.5
288
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
57
39
3
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=3.6A
3.1
1.2
1.6
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2Ω,
R
=3Ω
I
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
2
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.9
3
65
100
105
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
375
6
8.5
4
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
1.9
20.1
2.6
10.2
3.5
14
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第5版: 2005年7月
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性能和可靠性,恕不另行通知。
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