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AO3406 参数 Datasheet PDF下载

AO3406图片预览
型号: AO3406
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 109 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3406
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
400
V
DS
=15V
I
D
=3.6A
电容(pF)
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10µs
功率(W)的
20
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
15
100µs
1ms
0.1S 10毫秒
10
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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