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型号: AO3705
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 151 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3705
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.2A
T
J
=125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2.8A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
GS
= -1.5V ,我
D
=-0.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-3.2A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-25
56
80
70
85
100
15
-0.7
-1
-1.2
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-3.2A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=3Ω,
R
=6Ω
I
F
= -3.2A ,的di / dt = 100A / μs的
36
53
56
37
27
0.4
0.45
0.1
20
44
11
2.5
14
49
23
11
745
70
100
90
110
130
-0.65
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
mA
pF
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3.2A ,的di / dt = 100A / μs的
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
F
=1A
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
肖特基反向恢复时间
肖特基反向恢复电荷
V
R
=16V
V
R
= 16V ,T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 : 2008年5月
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