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型号: AO3705
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 151 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3435
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-3.2A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.00
R
DS ( ON)
有限
10µs
1000
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.00
100
功率(W)的
-I
D
(安培)
100µ
1ms
10ms
0.1s
1.00
10
0.10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
DC
1s
1
0.01
10
100
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=150°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
12
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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