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型号: AO4850
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 113 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4850
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=3.1A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 10毫安,V
GS
=0V
V
DS
=75V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.1A
T
J
=125°C
1
15
105
158
126
10
0.77
1
2.5
290
V
GS
=0V, V
DS
= 30V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
54
24
2.4
5.14
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,我
D
=3.1A
2.34
0.97
1.18
4
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,R
L
=9.7Ω,
R
=3Ω
I
F
= 3.1A ,的di / dt = 100A / μs的
3.4
14.4
2.4
30.2
21.5
45
3.5
7
380
130
195
165
2.3
75
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.1A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 :五月。 2007年
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
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