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AO9926E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO9926E
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 249 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO9926E
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=8A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ,我
D
=7A
V
GS
= 1.8V ,我
D
=6A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
0.4
30
18
25
21
25
29
0.76
1
2.5
1160
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
187
146
1.5
16
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,我
D
=8A
0.8
3.8
6.2
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ,R
L
=1.25Ω,
R
=3Ω
I
F
= 8A , di / dt的= 100A / μs的
12.7
51.7
16
17.8
6.8
21
30
25
33
0.6
20
1
5
±1
±10
1
典型值
最大
单位
V
µA
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A , di / dt的= 100A / μs的
2
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
转2 : 2005年8月
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