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AO9926E 参数 Datasheet PDF下载

AO9926E图片预览
型号: AO9926E
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 249 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO9926E
典型的电气和热特性
30
8V
V
GS
=2V
20
I
D
(A)
V
GS
=1.5V
I
D
(A)
10
20
V
GS
=5V
15
10
5
V
GS
=1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在-地区Characteristi
cs
0
0.0
0.5
125°C
25°C
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
标准化导通电阻
1.6
I
D
=8A
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
1.2
R
DS ( ON)
(m
)
30
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
1.4
20
V
GS
=4.5V
10
0
5
10
15
20
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D(
A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
60
I
D
=8A
50
R
DS ( ON)
(m
)
40
I
S
(A)
30
20
25°C
10
0
2
4
6
8
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
125°C
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
125°C
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