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型号: AOD604L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 168 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOD604
P沟道MOSFET的电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
30
-10V
25
-6V
20
-I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
80
70
R
DS ( ON)
(m
)
60
50
40
V
GS
=-10V
30
20
0
4
8
12
16
20
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=-4.5V
归一化的导通电阻
-3V
-I
D
(A)
V
GS
=-4V
15
10
-3.5V
5
25°C
0
0
1
2
3
4
5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
125°C
-5V
-4.5V
20
25
V
DS
=-5V
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=-10V
I
D
=-8A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-6A
120
I
D
=-8A
100
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
-I
S
(A)
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
R
DS ( ON)
(m
)
80
125°C
60
40
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
20
2.00E+00 4.00E+00 6.00E+00 8.00E+00 1.00E+01
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
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