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AON5800 参数 Datasheet PDF下载

AON5800图片预览
型号: AON5800
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AON5800
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
15
V
GS
=2V
10
5
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
50
40
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
30
20
10
0
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
V
GS
=1.8V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=1.8V
I
D
=6A
V
GS
=2.5V
I
D
=4.5A
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
25°C
3V
4V
I
D
(A)
6V
2.5V
15
20
V
DS
=5V
10
125°C
0.5
1
V
GS
=4.5V
I
D
=7A
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
V
GS
=10V
I
D
=8A
60
I
D
=8A
50
40
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
I
S
(A)
30
20
25°C
10
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
125°C
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司