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AON7702L 参数 Datasheet PDF下载

AON7702L图片预览
型号: AON7702L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 209 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AON7702
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=13.5A
电容(pF)
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
0
0
10
20
30
40
0
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
1000
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
100
C
RSS
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
8
V
GS
(伏)
6
4
C
OSS
2
0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
(安培)
1
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
0.1
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=60°C
0.1
1
DC
0.01
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
1
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
150
1
35
14
0.1
-55到150
0.01
P
D
T
on
0.001
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
60
3
10
75
3.5
100
1000
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