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AOT412 参数 Datasheet PDF下载

AOT412图片预览
型号: AOT412
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内容描述: N沟道SDMOSTM功率晶体管 [N-Channel SDMOSTM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 192 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOT412
N沟道SDMOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT412和AOT412L是用纤维制作SDMOS
TM
沟槽技术,结合优秀的研发
DS ( ON)
低门charge.The成效卓著效率
控制的开关行为。这种通用技术
非常适用于PWM ,负载开关和一般
各种类型的应用。
特点
V
DS
(V) =100V
I
D
= 60A
R
DS ( ON)
< 15.8mΩ
R
DS ( ON)
< 19.4mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 7V)
- 符合RoHS标准
- AOT412L是无卤
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
TO-220
D
G
G
D
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
100
±25
60
44
140
8.2
6.6
47
110
150
75
2.6
1.7
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
40
0.7
最大
18
48
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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