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AOT412 参数 Datasheet PDF下载

AOT412图片预览
型号: AOT412
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内容描述: N沟道SDMOSTM功率晶体管 [N-Channel SDMOSTM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 192 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOT412
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
电容(pF)
3600
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
30
40
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
20
50
0
0
40
60
80
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
20
100
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
(伏)
6
4
2
1000.0
100.0
10µs
功率(W)的
1000
800
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS ( ON)
有限
DC
10µs
100µs
1ms
10ms
600
400
200
0
0.0001
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
0.1
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
0.001
0.01
0.1
1
10
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
1
0.1
P
D
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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