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AOTF8N60 参数 Datasheet PDF下载

AOTF8N60图片预览
型号: AOTF8N60
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内容描述: 600V , 8A N沟道MOSFET [600V, 8A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 183 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOT8N60/AOTF8N60
典型的电气和热特性
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图12: AOT8N60归最大瞬态热阻抗(注F)
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度(S )
图13 :为AOTF8N60归最大瞬态热阻抗(注F)
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