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AOU456图片预览
型号: AOU456
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 70 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOU456
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
电容(pF)
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0
0
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
25
C
OSS
4.63
494
692
593
830
193
18
1000
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
A
=25°C
100
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
DC
10µs
功率(W)的
100µs
1ms
200
160
120
80
40
0
0.0001
T
J(下最大)
=175°C
T
A
=25°C
10
1
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注五)
10
100
0.001
0.01
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
59
0.1
142
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
本产品的设计和合格的消费市场。应用程序或
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
性能和可靠性,恕不另行通知。
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司