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型号: AOU456
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 70 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AOU456
典型的电气和热特性
60
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
功耗( W)
60
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
50
40
30
4.63
20
10
0
0
25
75
100
125
150
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
50
175
T
A
=25°C
494
692
593
830
193
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司