VFT30-28
甚高频功率MOSFET
N沟道增强模式
描述：
该
VFT30-28
是一个金的金属化的N-
沟道增强模式
MOSFET ，用于在使用28VDC
大信号应用最多
400MHz.
包装样式0.380 4L FLG
.112 x 45°
A
B
S
D
Ø.125 NOM 。
，完全R
J
.125
产品特点：
•
P
G
= 14 dB典型值。在30 W / 175MHz的
•
10 ： 1 VSWR负载
能力
•
Omnigold ™
金属化系统
F
G
C
D
E
S
I
GH
最大额定值
I
D
V
（ BR ） DSS
V
DGR
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
5.0 A
65 V
65 V
± 40 V
100瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.75 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号： ASI10703
特征
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
T
C
= 25°C
NONETEST
条件
I
DS
= 10毫安
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
I
D
= 25毫安
I
D
= 500毫安
最小典型最大
60
---
---
1.0
0.5
---
---
---
---
---
46
33
6.0
---
4.0
1.0
6.0
---
单位
V
mA
µ
A
V
姆欧
V
DS
= 28 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
pF
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/2
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
