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    VFT30-28 参数 Datasheet PDF下载

    VFT30-28图片预览
    型号： VFT30-28
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型甚高频功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 42 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VFT30-28的Datasheet PDF文件第1页  
    VFT30-28
    错误！未找到引用源。
    特征
    符号
    P
    G
    η
    D
    T
    C
    = 25°C
    NONETEST
    条件
    V
    DD
    = 28 V
    P
    IN
    = 1.5 W
    I
    DQ
    = 25毫安
    P
    OUT
    = 30 W
    F = 175 MHz的
    最小典型最大
    13
    50
    14
    60
    单位
    dB
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    版本B
    2/2

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