7.编程和擦除命令
7.1
缓冲区写
数据可以从输入引脚（ SI ）被移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.将数据加载到
标准数据闪存缓冲器（ 264字节）， 1字节的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，
必须移入设备，其次是3个地址字节组成的15无关位
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。 9缓冲器地址位中指定的第一个字节
缓冲器被写入。将数据加载到二进制缓存（每个256字节） ， 1字节的操作码84H
缓冲区1或87H缓冲区2 ，必须移入设备，其次是3个地址字节
由16无关位和8个缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。 8缓冲区地址
位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。之后的最后一个地址字节被时钟
到器件中，数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果在数据的末尾
缓冲器达到，该装置将绕回的缓冲区的开始。数据CON组
tinue加载到缓冲区中，直到由低到高的转变是CS引脚上检测到。
7.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
写入任一缓冲器1或缓冲器2的数据可被编程到主存储器中。 1字节
操作码， 83H缓冲区1或86H缓冲区2 ，必须移入器件。对于数据闪存
标准的页面大小（ 264字节） ，操作码必须跟三个地址字节包括
3不在乎位，第12页地址位（ PA11 - PA0 ） ，在主内存中指定的页面
写入和9无关位。为了执行缓冲，以主存储器页面程序具有内置
抹去的二进制页面大小（256字节） ，操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，必须
被移入器件后跟三个地址字节组成的4不在乎位
第12页的地址位（ A19 - A8） ，在所述主存储器中指定的页将被写入并
8不在乎位。
当
由低到高的转变发生在CS引脚，该部分将首先删除
在主存储器中选择的页（擦除状态是逻辑1），然后程序所存储的数据
在缓冲插入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和的编程
页面有内部自定时应在T的最大时间
EP
。在这段时间内，
状态寄存器将指示该部分正忙。
7.3
缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
主存储器内的先前被擦除的页可以与任一的内容进行编程
缓冲区1或2，缓冲1个字节的操作码， 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ，必须移入
该设备。对于数据闪存标准的页面大小（ 264字节） ，操作码必须跟
三个地址字节包括3不在乎位，第12页地址位（ PA11 - PA0 ）指定
在主存储器中的页面进行写入和9无关位。为了执行缓冲，以主
存储器页程序没有内置擦除的二进制页面大小（256字节） ，操作码
88H缓冲区1 89H缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址
由4个字节无关位，第12位地址（ A19 - A8 ） ，指定的页面
主内存写入和8个无关位。
当
由低到高的转变发生在CS
销，该部分程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据
ORY 。必要的是该正被编程的页面在主存中已经预先
使用擦除命令（页擦除或块擦除）中的一个删除。的编程
页是在内部自定时的，应在吨的最大时间
P
。在这段时间内，所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
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AT45DB081D
3596E–DFLASH–02/07
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
