AT45DB081D
7.4
页擦除
页擦除命令可以被用来单独地清除任何页面的主存储器阵列中的
使缓冲区到主存储器的页编程到在以后的时间被利用。要执行
在数据闪存标准的页面大小页擦除（ 264字节） ， 81H的操作码必须加载
到设备，其次是3个地址字节组成的3不在乎位，第12页地址
位（ PA11 - PA0 ） ，在所述主存储器中指定的页面被擦除和9无关位。
执行页擦除二进制页面大小（ 256字节） ，操作码81H必须加载
到设备，其次是三个地址字节包括4不在意位，第12位的地址
（ A19 - A8） ，用于指定在主存储器中的页被擦除和8无关位。
当
a
低到高的转变发生在CS引脚，该部分将删除选定的页面（擦除
状态是逻辑1） 。擦除操作是内部自定时的，应在一个马克西
吨的妈妈时间
PE
。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
7.5
块擦除
的八页的块可以同时被擦除。这个命令非常有用，当大量
的数据已被写入到器件中。这将避免使用多页擦除命令。
要执行的数据闪存标准页面大小的块擦除（ 264字节） ， 50H的操作码
必须被加载到设备上，接着是三个地址字节包括3个无关位，
第9页地址位（ PA11 -PA3 ）和12无关位。在第9页地址位用于
指定的八个页块是要被擦除。要为二进制页面执行块擦除
大小（256字节） ，操作码50H必须被加载到设备上，接着是三个地址
由4个字节无关位，第9页地址位（ A19 - A11 ）和11无关位。该
第9页的地址位被用于指定其中八页块是要被擦除。
当
一个低
到高的转变发生在CS引脚，该部分将擦除八页选定的块。该
擦除操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间
BE
。中
此时，状态寄存器将指示该部分正忙。
表7-1 。
PA11/
A19
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
块擦除寻址
PA10/
A18
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA9/
A17
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA8/
A16
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA7/
A15
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA6/
A14
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA5/
A13
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA4/
A12
0
0
1
1
•
•
•
0
0
1
1
PA3/
A11
0
1
0
1
•
•
•
0
1
0
1
PA2/
A10
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
PA1/
A9
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
PA0/
A8
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
块
0
1
2
3
•
•
•
508
509
510
511
9
3596E–DFLASH–02/07
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
