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THN6501Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: THN6501Z
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内容描述: 硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 231 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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THN6501系列
最大可用增益, MAG与频率的关系
插入功率增益| S
21
|
2
与频率的关系
24
20
牛逼的R 1 0 (E S) T5 3 8 1米_ 2 8 6的G
A F 5 4 _ O 2 _ V 5 A 0 0 1 ..M X 1
MAG
摹输入1
米乘
[分贝]
a a
ð (T ,R 1 0 (E S) T5 3
2
8 1 m _ 2 8 6 (2 ))
B A F 5 4 _ O 2 _ V 5 A 0 0 1 ..S , 1
|S
21
B
[分贝]
|
(2 ))
D( S, 1
22
20
18
16
14
12
10
8
6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
= 6 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 6 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
频率, GHz的
频率, GHz的
频率[ GHz的]
频率[ GHz的]
过渡频率f
T
与我
C
12
最大可用增益, MAG与我
C
18
V
CE
= 6 V
10
F = 1 GHz的
17
V
CE
= 8 V
V
CE
= 6 V
V
CE
= 3 V
8
16
6
MAG (分贝)
f
T
[千兆赫]
V
CE
= 3 V
15
4
14
2
V
CE
= 2 V
0
10
20
30
40
50
60
70
13
V
CE
= 2 V
0
12
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
I
C
[马]
I
C
[马]
4