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AS5C512K8ECJ-17/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS5C512K8ECJ-17/XT图片预览
型号: AS5C512K8ECJ-17/XT
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内容描述: 512K ×8 SRAM高速SRAM和革命引脚 [512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 229 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM  
AS5C512K8  
Austin Semiconductor, Inc.  
LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM  
DATA RETENTION MODE  
VCC  
4.5V  
4.5V  
VDR>2V  
tCDR  
tR  
VIH-  
CE\  
VDR  
VIL-  
READ CYCLE NO. 18, 9  
(Address Controlled, CE\ = OE\ = VIL, WE\ = VIH)  
tRC  
ADDRESS  
VALID  
tAA  
tOH  
I/O, DATAIN  
& OUT  
Previous Data Valid  
Data Valid  
READ CYCLE NO. 2 2  
(WE\ = VIH)  
tRC  
ADDRESS  
CE\  
tAOE  
tHZOE  
tLZOE  
tLZCE  
tACE  
tHZCE  
I/O, DATAIN  
& OUT  
High-Z  
Data Valid  
tPU  
tPD  
Icc  
Don’t Care  
Undefined  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS5C512K8  
Rev. 7.0 05/08  
6