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AS5C512K8ECJ-12/H 参数 Datasheet PDF下载

AS5C512K8ECJ-12/H图片预览
型号: AS5C512K8ECJ-12/H
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内容描述: 512K ×8 SRAM高速SRAM和革命引脚 [512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 229 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5C512K8
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .............................- , 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在
存储温度(塑料) ......................- 65 ° C至+ 150°C ,这些或任何其他条件超过上述指定
存储温度(陶瓷) ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光
短路输出电流(每个I / O) ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作
任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。
最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型,循环
功耗................................................ ................ 1W时,负载,环境温度和空气流通,湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
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Ç <牛逼
A
< 125
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o
Ç <牛逼
A
< +85
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℃; VCC = 5V + 10 % )
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电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C512K8
修订版7.0 05/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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