SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ............为3ns
输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V
输出参考电平............................................... ......... 1.5V
输出负载................................................参见图1和图2
AS5C512K8
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
7.
8.
数据保存电气特性
（只有L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
手术恢复时间
条件
CE \\ > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2或0.2V
VCC = 2.0V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
800
最大
单位
V
uA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C512K8
修订版7.0 05/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
