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654321
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654321
65
3
321
4
4
21
4321
4321
4321
4321
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576
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376 4
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1
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10
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21
721
65
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220
3119876543214321
10
10
721
65
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210
765
76543219876543214321
765
V
IH
-
765410
5652309
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5432
7654309
5654101
54321
1
743212187654321
543212187654321
54323 9
765410
543232987654321
5432
5452309
3 1
7654101
563412187654321
743212187654321
543212187654321
76343 9
5452309
54 21
t
R
543210987654321
432
543210987654321
654321
543210987654321
654321
4321
4321
1
543210987654321
654321
543210987654321
654321
4321
543210987654321
654321
4321
4321
543210987654321
654321
543210987654321
t
CDR
AS5C512K8
修订版7.0 05/08
I / O DATA IN
& OUT
I / O DATA IN
& OUT
CE \\
地址
地址
V
CC
V
IL
-
CE \\
ICC
奥斯汀半导体公司
以前的数据有效
读周期1号
8, 9
（地址控制， CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
)
低V
CC
数据保存波形
高-Z
读周期2号
2
（WE \\ = V
IH
)
t
OH
4.5V
数据保持方式
t
LZCE
t
ACE
t
PU
t
LZOE
6
t
AA
V
DR
>2V
t
AOE
V
ALID
V
DR
t
RC
t
RC
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4.5V
数据有效
数据有效
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
AS5C512K8
未定义
不在乎
SRAM
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
